防反接電路，在電子設(shè)計(jì)中非常重要，一個(gè)好的防反接電路，雖然只是增加了一點(diǎn)點(diǎn)元器件，卻可以很好的保護(hù)我們的后級(jí)電路，下面介紹4種常用簡(jiǎn)單的電路：
二極管防反接電路
原理我們一看就懂，利用二極管的單向?qū)щ娦裕瑢?shí)現(xiàn)防反接功能，這種方法簡(jiǎn)單，安全可靠，成本也最低，但是輸出端會(huì)有0.7V左右的壓降，還有就是如果線(xiàn)路上的電流過(guò)大，比如有2A的電流，那么就會(huì)一直有1.4W的損耗，發(fā)熱也非常大，而且，如果反向電壓稍微偏大，并非完全截止，會(huì)有一個(gè)比較小的漏電流通過(guò)，使用時(shí)需要留足余量。
PMOS管防反接電路
上圖是PMOS接法的電路，這里簡(jiǎn)單的說(shuō)明原理，剛上電時(shí)，MOS管的寄生二極管導(dǎo)通，S級(jí)電壓為VCC-0.6，G級(jí)為0，PMOS導(dǎo)通；當(dāng)電源反接時(shí)，G級(jí)為高電平，不導(dǎo)通，保護(hù)后級(jí)。
實(shí)際應(yīng)用中PMOS 柵極與源級(jí)之間再加一個(gè)電阻比較好，這種辦法也有PMOS跟NMOS之分，都是利用MOS管的寄生二極管以及其導(dǎo)通性，不過(guò)NMOS的導(dǎo)通電阻比PMOS小，比PMOS會(huì)降低一丟丟功耗，不過(guò)還是很小很小了，如果算10毫歐的導(dǎo)通電阻，2A的電流才0.04W的功耗，是非常低了，電源反接后，MOS管就是斷路，可以很好的保護(hù)后級(jí)電路，這種方法也是應(yīng)用比較廣泛的一種電路，推薦使用，實(shí)際使用中可以使用NMOS。
整流橋防反接電路
上圖是橋式整流電路，無(wú)論什么級(jí)性都能工作，但是導(dǎo)通之后會(huì)有兩個(gè)二極管的壓降，發(fā)熱了也是第一種方式的兩倍，有優(yōu)點(diǎn)但缺點(diǎn)也很明顯，除非是一些特殊的場(chǎng)合需要用到，否則不推薦使用。
保險(xiǎn)絲+穩(wěn)壓二極管防反接電路
上圖是保險(xiǎn)絲+穩(wěn)壓二極管防反接電路（第四種方法來(lái)自CSDN博客，硬件工程師修煉之路），非常簡(jiǎn)單，既可以防止反接，又可以防止過(guò)壓，這個(gè)電路設(shè)計(jì)非常巧妙，下面介紹下其原理：
當(dāng)電源Vin接反時(shí)，穩(wěn)壓二極管D1正向?qū)ǎ?fù)載的負(fù)壓為二極管的導(dǎo)通電壓Vf，Vf一般比較低，不會(huì)燒壞后級(jí)負(fù)載電路。同時(shí)，Vin反接時(shí)，D1正向?qū)ǎ妷褐饕湓贔1上，因此開(kāi)始時(shí)電流會(huì)迅速上升，直至超過(guò)F1的熔斷電流，保險(xiǎn)絲F1熔斷，電源斷開(kāi)，不會(huì)因?yàn)殡娏鬟^(guò)大而燒壞D1。
當(dāng)電源Vin輸入比較高時(shí)（比如大于穩(wěn)壓管的5.6V）。因?yàn)榉€(wěn)壓管D1存在，所以負(fù)載端獲得電源約為5.6V。那么F1上就會(huì)有比較大的電壓（Vin-5.6V），電流會(huì)上升比較快，直至F1熔斷，電路獲得保護(hù)。如此便實(shí)現(xiàn)了防過(guò)壓保護(hù)。
如此，便實(shí)現(xiàn)了防反接保護(hù)。需要注意幾點(diǎn)：
1、保險(xiǎn)絲的選型，熔斷電流要大于后級(jí)負(fù)載正常的工作電流，電路正常使用時(shí)不能熔斷；保險(xiǎn)絲的選型，熔斷電流要大于后級(jí)負(fù)載正常的工作電流，在電路正常使用時(shí)不能熔斷。
2、穩(wěn)壓二極管的選型，穩(wěn)壓值要大于正常Vin的電源輸入（正常電源輸入時(shí)不能擊穿穩(wěn)壓），但是要小于后級(jí)能允許的最大輸入電壓（穩(wěn)壓值不能燒壞后級(jí)電路）；
3、穩(wěn)壓二極管的最大允許電流+上電時(shí)負(fù)載電流>保險(xiǎn)絲的擊穿電流。因?yàn)槿绻粷M(mǎn)足此條件，在電源過(guò)壓輸入時(shí)，在保險(xiǎn)絲擊穿之前，穩(wěn)壓管會(huì)因?yàn)橥ㄟ^(guò)的電流過(guò)大而燒壞；
4、反接電路時(shí)負(fù)壓Vf也需要考慮，Vf一般小于1.5V。后級(jí)電路應(yīng)能允許接入1.5V的負(fù)壓而不會(huì)燒壞;
5、此電路盡量應(yīng)用于功率比較小的電路中，小于500mW。
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