PMOS管用作電源開關(guān)注意事項(xiàng)：PMOS管作電源開關(guān)時(shí)因開關(guān)速度過快導(dǎo)致電源被拉下。
在電路中用到了三極管和MOS管做電源開關(guān)，原有問題電路如下圖：POWER_RESET為高，Q4和Q2均導(dǎo)通，電源接通; POWER_RESET為低時(shí)，Q4和Q2均不導(dǎo)通，電源不通。
做好PCB板，焊上相應(yīng)器件，上電發(fā)現(xiàn)電路工作不正常，表現(xiàn)為，在POWER_RESET突然變高時(shí)，即電源3V3突然接通時(shí)，前級(jí)電源DCDC_3V3被拉下。
用示波器測量如下：
那么是為什么呢？原因是因?yàn)殚_關(guān)的開啟速度過快，瞬間導(dǎo)通，而后級(jí)3V3電源有很多電路均在使用，會(huì)接了很多濾波電容，總電容量很大。
在電源突然接通的時(shí)候，需要對(duì)這些電容進(jìn)行充電，電容量大，導(dǎo)致剛開始需要的電流很大，而前級(jí)來不及提供，導(dǎo)致電源被拉下。
知道了問題的原因，那么如何修正呢？那就需要讓開關(guān)不能打開過快，需要慢慢打開。
改進(jìn)電路如下：
首先C169可以讓Q4導(dǎo)通時(shí)間變緩，這是一方面。然后C168和R171可以讓Q3導(dǎo)通變緩。
Q4導(dǎo)通前Q3的Vgs=0。當(dāng)Q4由不導(dǎo)通變?yōu)閷?dǎo)通時(shí)，因?yàn)镼3的GS上面有電容，電容兩端電壓不能突變，Q3的G極不會(huì)馬上被拉低，而是需要通過R171對(duì)電容C168和C167進(jìn)行充電，充電的過程就是G極電壓變低的過程，即Vgs是慢慢變化的，所以Q3也是慢慢導(dǎo)通的，開啟的速度取決于C167和C168及R171的值。
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