一、PMOS電流流向
PMOS中，電流從源極（S）流向漏極（D），其導(dǎo)電溝道由帶正電的空穴構(gòu)成。當(dāng)柵極（G）相對源極（S）呈負(fù)電壓時，會吸引溝道中的空穴向漏極（D）移動，從而形成從源極到漏極的電流。
二、各極作用及原理
（一）D極（漏極）
作用：作為電流流出端。
原理：在PMOS工作時，電流從源極流向漏極。由于PMOS以空穴為主要載流子，電流方向與電子流動方向相反。漏極通常連接較低電位（如接地或負(fù)電源），以便電流從源極流向漏極。
（二）S極（源極）
作用：電流流入端。
原理：源極一般連接較高電位（如正電源），為空穴提供源。PMOS的開關(guān)狀態(tài)主要取決于源極與柵極之間的電壓差。當(dāng)源極電位高于柵極電位時，PMOS導(dǎo)通；反之，當(dāng)源極與柵極電位差不足時，PMOS關(guān)斷。
（三）G極（柵極）
作用：控制PMOS開關(guān)狀態(tài)。
原理：柵極控制溝道形成。柵極電壓相對于源極電壓的變化決定PMOS是否導(dǎo)通：
導(dǎo)通狀態(tài)：柵極電壓低于源極電壓（一般低于閾值電壓Vth），PMOS導(dǎo)通，空穴在源極和漏極間形成溝道，電流得以通過。
關(guān)斷狀態(tài)：柵極電壓高于或等于源極電壓，溝道關(guān)閉，PMOS處于關(guān)斷狀態(tài)，電流無法通過。
三、PMOS工作區(qū)域
截止區(qū)：當(dāng)Vgs>Vth時，PMOS處于關(guān)斷狀態(tài)，此時無導(dǎo)電溝道形成，漏極電流Id=0。
線性區(qū)：當(dāng)Vgs<Vth且Vds<Vgs-Vth時，PMOS導(dǎo)通，漏極電流Id與漏源電壓Vds成正比。
飽和區(qū)：當(dāng)Vgs<Vth且Vds>Vgs-Vth時，PMOS導(dǎo)通，此時漏極電流Id主要受柵源電壓Vgs控制，與漏源電壓Vds關(guān)系不大。
四、NMOS和PMOS工作區(qū)域判斷
方法一：對NMOS和PMOS分別進(jìn)行討論，注意在PMOS中，相關(guān)電壓值多為負(fù)數(shù)。
方法二：利用絕對值進(jìn)行判斷，比較各電壓與閾值電壓的大小關(guān)系，進(jìn)而確定工作區(qū)域。
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